1、本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明,高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。
2、本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性,提供了实测数据和应用电路实例。
3、举例说明,20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。
4、介绍一个实用的晶体管开关电路,用它能够较准确地测定电容和介电常量。
5、晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象,此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。
6、首先给出一种泄漏电流和延时的简化模型,并且在此基础上提出了一种降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法。
7、每个晶体管至少有三个电极。
8、富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后,新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
9、本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入,从而提高薄膜晶体管的可靠性。
10、晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量,使测量任意波形电压受到限制。
